【據(jù)美國賓夕法尼亞州立大學網(wǎng)站2019年5月28日報道】美國賓夕法尼亞州立大學的科研人員發(fā)現(xiàn)，可通過摻雜碳氫(CH)分子來顯著改變單層原子厚度的半導體材料二硫化鎢(WS2)的電學性質(zhì)，并通過實驗證實。在摻雜前，WS2表現(xiàn)為單極N型傳導，隨著碳摻雜水平的增加，CH-WS2單層開始出現(xiàn)P型分支，最終可完全轉換為P型。通過控制碳摻雜水平，可以在WS2中生成N+/P/N+和P+/N/P+結。當前有關2D材料摻雜的論文不多，因為這個過程涉及很多復雜條件和過程。PSU團隊的技巧是，使用等離子體輔助將甲烷的裂解溫度降低到400攝氏度。該研究得到了美國能源部科學辦公室基礎能源科學計劃的支持，相關論文《Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport》已在Science Advances上發(fā)表。