【據(jù)美國德州大學(xué)達(dá)拉斯分校網(wǎng)站2019年5月28日?qǐng)?bào)道】美國德州大學(xué)達(dá)拉斯分校的科研人員通過原理論證、設(shè)計(jì)和仿真，發(fā)展了基于氧化鋅的多值邏輯晶體管的基本物理學(xué)，并成功制造出多值邏輯晶體管原型器件。研究人員發(fā)現(xiàn)，可以通過將稱為量子點(diǎn)的氧化鋅晶體嵌入無定形氧化鋅中，實(shí)現(xiàn)多值邏輯所需的物理學(xué)。研究人員將兩種形式的氧化鋅結(jié)合形成復(fù)合納米層的新型結(jié)構(gòu)，然后在超晶格中與其他材料層結(jié)合制成了多值邏輯晶體管原型。原型晶體管在0和1之間具有2個(gè)電子穩(wěn)定且可靠的中間狀態(tài)，可使單個(gè)晶體管的邏輯值數(shù)量由2個(gè)增加到4個(gè)。該技術(shù)不僅與現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)芯片配置兼容，而且還可以彌合當(dāng)今計(jì)算機(jī)和量子計(jì)算機(jī)之間的差距，并可在不增加晶體管數(shù)量的前提下，通過增加每個(gè)晶體管攜帶的信息數(shù)量來顯著提升電子設(shè)備的處理能力。研究人員下一步將會(huì)對(duì)該項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化，并研究該現(xiàn)象在其他材料中的普遍性。該研究得到了韓國國家研究基金會(huì)的支持，相關(guān)論文《ZnO composite nanolayer with mobility edge quantization for multi-value logic transistors》已在Nature Communications期刊上發(fā)表。